- 靜電紡絲/近場直寫技術(shù)

靜電紡絲/近場直寫技術(shù)

高壓靜電直寫技術(shù)-熔融直寫

高壓靜電直寫技術(shù)-熔融直寫


近年來,3D微納米打印技術(shù)發(fā)展迅速,通力微納在直寫成型技術(shù)方面進行了近十年的技術(shù)開發(fā),形成了一系列相關(guān)設(shè)備,現(xiàn)已實現(xiàn)直徑1微米單根纖維絲的3D打印,可以精確打印多種材料的三維微納結(jié)構(gòu);同時還可以進行直徑1微米的微納點陣的平面打印,可以打印任意平面圖形,已成功應(yīng)用于復(fù)雜微納電路的打印。

與靜電紡絲相比,高壓靜電直寫技術(shù)通過減小靜電紡絲的接收距離和工作電壓,結(jié)合精密3D運動平臺,使帶電射流以單根接近直線的方式到達接收裝置。直寫技術(shù)可以有效控制單根纖維的沉積位置,制得直徑1-100微米直徑的單根有序纖維圖案化結(jié)構(gòu)。直寫技術(shù)制備的纖維直徑雖然是靜電紡絲的10~100倍,但靜電紡絲無法精確控制纖維的排布形式,熔融直寫和近場紡絲都能根據(jù)預(yù)設(shè)的各種圖形打出理想結(jié)構(gòu)的材料。另外,熔融直寫不使用任何溶劑,沒有溶劑殘留,特別適合制備生物材料。

高壓靜電直寫設(shè)備包含:高壓電源、高溫噴頭、精密熔體推動裝置或微量泵、高精度3D運動平臺或旋轉(zhuǎn)收集裝置、軟件控制系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)等。

高壓靜電直寫


靜電直寫與靜電紡絲的區(qū)別:

靜電直寫技術(shù)

靜電紡絲技術(shù)

原材料

熔體 或 溶液

以聚合物溶液為基礎(chǔ)的各種材料

制成的材料

幾何堆積,3D2D的圖案化立體結(jié)構(gòu)

平整的膜狀材料

纖維尺寸

1-數(shù)十微米直徑的點、線組合

20-1000nm的纖維呈雜亂或有序排布的膜狀結(jié)構(gòu)

使用電壓

1KV~10KV

10KV~100KV

接收距離

<1cm

8-20cm

產(chǎn)品尺寸

通常為<10cm×<10cm平面結(jié)構(gòu) 或邊長<10cm3D結(jié)構(gòu)

任意尺寸的膜材料

環(huán)境友好

熔融直寫不使用溶劑

使用一定的有機溶劑

高壓靜電直寫成型技術(shù)的特點:

l  使用材料:流體。1.熔點低于400℃的材料,熔融狀態(tài)下流動性好。2.具有一定粘度的溶液。

l  最小分辨率:1微米

l  應(yīng)用范圍:生物組織工程、人造器官、血管、微納電路、精密器件、電極材料、光學(xué)器件、傳感器、微流體器件等。

l  成本低,操作簡單。

l  原料來源廣泛,應(yīng)用領(lǐng)域可無限擴展。


熔融靜電直寫技術(shù)


熔融直寫技術(shù)可簡單有效的制備直徑1-100微米的單根纖維絲,并能有效地控制纖維的沉積位置,多次逐層堆積制備出微納結(jié)構(gòu)的三維物品。與傳統(tǒng)的熔融沉積技術(shù)相比,由于電場力的拉伸和牽引作用,熔融靜電直寫技術(shù)能制備出直徑小于針頭直徑的纖維,最近,通力微納的工程師通過設(shè)計特殊結(jié)構(gòu)的針頭,甚至實現(xiàn)了1微米左右的纖維的直寫。

通常,熔融靜電直寫中,接收距離只有不到1厘米,這是為了接收泰勒錐的直線運動部分的纖維,盡管如此,當(dāng)纖維落到接收板的時候,仍然還是有一定的鞕動,難以收集到堆積整齊的直線和預(yù)設(shè)的曲線。通力微納的工程師通過大量的試驗,發(fā)現(xiàn)了纖維運動的規(guī)律,設(shè)計了高精度3D運動平臺和專用控制軟件,控制纖維的運動,精確制備了多層(超過100層)精密堆積的3D結(jié)構(gòu)的材料。

熔融靜電直寫技術(shù)制備的纖維,無溶劑殘留,形貌良好,表面光滑,無間斷,原材料來源廣泛,實現(xiàn)了微米級線狀材料的精確打印,現(xiàn)已可以打印預(yù)設(shè)的直線、曲線,逐層排布整齊,是制備三維微納結(jié)構(gòu)的一種主要技術(shù)。

熔融直寫技術(shù)由于可以制備復(fù)雜微納結(jié)構(gòu),且圖案分辨率高,工藝簡單,不使用溶劑、無污染,現(xiàn)已逐漸成為制備微流體器件的優(yōu)勢技術(shù)。

根據(jù)文獻和客戶反饋,在組織工程支架方面,高壓靜電直寫技術(shù)已經(jīng)成功制備了各種組織工程支架,如血管組織支架、骨組織工程支架、軟骨組織工程支架、心臟組織工程支架、皮膚組織工程支架、牙周組織工程支架、微流道支架。 高壓靜電直寫技術(shù)制備的纖維直徑和支架孔徑都分別在1~50微米和200~400微米之間,符合細胞的生長條件,在組織工程中擁有廣闊的發(fā)展前景。


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